Недавно путешествуя по просторам интернета набрел на интересную статью,лично мне понравилась тем-более что оперативная память присутствует в каждом ПК
Суффикс LLK в конце модельного номера памяти Patriot Memory указывает на низкие задержки.
Для получения задержек 7-7-7-20 на частоте 667 МГц (1 333 МГц DDR), PDP Systems требует
нестандартного напряжения 1,70 В. Чтобы память загружалась на штатном напряжении 1,50 В, компания использовала меньшую частоту в SPD на уровне 1 066 МГц DDR. Поскольку заявленные задержки используются на меньшей частоте, для получения полной скорости лучше зайти в BIOS, "запереть" задержки, после чего изменить частоту и напряжение на DDR3-1333 и 1,70 В, соответственно."Официальное" название памяти DDR базируется на её пропускной способности, а не на тактовой частоте. Простой способ преобразовать её эффективную частоту в пропускную способность - умножить на восемь. Так, DDR-400 называется PC-3200, DDR2-800 - PC2-6400, а DDR3-1600 - PC2-12800.
Объяснить подобную математику очень просто: модули памяти ПК на основе технологии SDRAM
подключаются по 64-битной шине; в байте восемь бит, а 64 бита эквивалентны восьми байтам.
Например, DDR2-800 передаёт 800 мегабит в секунду по одной линии; 64 линии обеспечивают
одновременную передачу восьми бит, и 800 умножить на восемь как раз и даст 6400.
Но есть проблема округления, которая впервые появилась с DDR-266 (PC-2100). Эффективная
частота передачи 266 МГц на самом деле составляет 266,(6) (шесть в периоде) МГц, поэтому
на самом деле пропускная способность составляет 2133 Мбайт/с.
Пусть многим сборщикам уже некоторое время ничего не нужно, кроме недорогих модулей DDR2, но память DDR3 обеспечивает два ключевых преимущества. Во-первых, максимальная плотность памяти у чипов была расширена до 8 Гбит, что даёт для 16-чипового модуля ёмкость 16 Гбайт. Во-вторых, напряжение питания по умолчанию было снижено до 1,50 В по сравнению с 1,80 В у DDR2, что даёт 30% снижение энергопотребления при равных тактовых частотах. Одним из важных факторов в пользу памяти DDR3 является постепенный перевод чипсетов Intel в этом направлении. Компания впервые добавила поддержку DDR3 в качестве опции у северного моста чипсета P35 Express, да и рынок DDR3 затем был и далее расширен с появлением новых чипсетов DDR3.
Память DDR3 по-прежнему использует технологию удвоенной передачи данных, когда биты
передаются и на подъёме сигнала, и на падении, что позволяет удвоить эффективную
пропускную способность. Впрочем, у памяти есть так называемые буферы предварительной
выборки (prefetch buffers), которые используются для сбора данных, чтобы быстрее
передавать их на интерфейс. У DDR1 ширина буфера составляет 2 бита (режим DDR, без
буферизации), DDR2 работает с 4-битными буферами, а DDR3 - с 8-битными. В этом кроется
путь для увеличения производительности памяти, но и задержки тоже возрастают: память DDR1 работает с задержками CAS 2, 2,5 и 3 такта. DDR2 работает с задержками CL 3, 4 или 5 тактов.У DDR3 задержки CL увеличились до 5-8 тактов. То есть для заполнения буферов требуется время. По этой причине не следует ожидать, что память DDR3 с самого начала будет обгонять DDR2. Память DDR2-533 на CL 3 тоже не могла обойти DDR1-400 в реальных приложениях.
Каждое поколение DDR отличается более высокими задержками памяти, что обусловлено ростом ёмкости с переходом на следующий техпроцесс. Массовая память DDR1 отличалась
ёмкостью 512 Мбайт на модуль (общая ёмкость 1 Гбайт). У DDR2 оптимальной оказалась
ёмкость 1 Гбайт на модуль (общая ёмкость 2 Гбайт). Как можно предположить, память DDR3
даст 2 Гбайт на модуль (4 Гбайт в сумме) к середине 2008 года. По спецификациям JEDEC
память DDR3 должна работать с напряжением по умолчанию 1,5 В. Напомним, что напряжение
памяти DDR2 составляет 1,8 В, а DDR1 - 2,5 в. Впрочем, многие производители памяти
повышают напряжение, чтобы снизить задержки и обеспечить более высокую производительность. История с памятью DDR3 повторяется.
Из-за снижения напряжения память DDR3 потребляет меньше энергии. Но в наших тестах мы
это не смогли подтвердить, поскольку тестовые системы с памятью DDR3 потребляли больше
энергии, чем с памятью DDR2. Intel утверждает, что энергопотребление памяти DDR3-1333
должно сравняться с DDR2-800, а при равных тактовых частотах экономия должна составить 25%.Что ж посмотрим, насколько эти обещания исполняться в будущем.
Частоты DDR3
В следующей таблице приведены все частоты DDR3, которые уже доступны.
Хотя число контактов не изменилась, вырез был перенесён. Поэтому модули DDR2 и DDR3
несовместимы." Число контактов модулей памяти DDR2 и DDR3 идентичное, но вырез у модулей DDR3 был смещён, поскольку новая память несовместима с DDR2 и работает от другого напряжения. DDR3 будет поддерживаться на частотах 800, 1066 и 1333, в то время как DDR2 остановится на DDR2-800. Конечно, модули DDR2 с более высокой частотой могут работать с некоторыми чипсетами (всё часто зависит от комбинации модулей и материнской платы), но спецификации вряд ли будут когда-нибудь утверждены. В принципе, ситуация вполне нормальная, если вспомнить, что память DDR для энтузиастов выходила вплоть до частот DDR600, хотя JEDEC сертифицировала максимум DDR400.
Источник
Суффикс LLK в конце модельного номера памяти Patriot Memory указывает на низкие задержки.
Для получения задержек 7-7-7-20 на частоте 667 МГц (1 333 МГц DDR), PDP Systems требует
нестандартного напряжения 1,70 В. Чтобы память загружалась на штатном напряжении 1,50 В, компания использовала меньшую частоту в SPD на уровне 1 066 МГц DDR. Поскольку заявленные задержки используются на меньшей частоте, для получения полной скорости лучше зайти в BIOS, "запереть" задержки, после чего изменить частоту и напряжение на DDR3-1333 и 1,70 В, соответственно."Официальное" название памяти DDR базируется на её пропускной способности, а не на тактовой частоте. Простой способ преобразовать её эффективную частоту в пропускную способность - умножить на восемь. Так, DDR-400 называется PC-3200, DDR2-800 - PC2-6400, а DDR3-1600 - PC2-12800.
Объяснить подобную математику очень просто: модули памяти ПК на основе технологии SDRAM
подключаются по 64-битной шине; в байте восемь бит, а 64 бита эквивалентны восьми байтам.
Например, DDR2-800 передаёт 800 мегабит в секунду по одной линии; 64 линии обеспечивают
одновременную передачу восьми бит, и 800 умножить на восемь как раз и даст 6400.
Но есть проблема округления, которая впервые появилась с DDR-266 (PC-2100). Эффективная
частота передачи 266 МГц на самом деле составляет 266,(6) (шесть в периоде) МГц, поэтому
на самом деле пропускная способность составляет 2133 Мбайт/с.
Пусть многим сборщикам уже некоторое время ничего не нужно, кроме недорогих модулей DDR2, но память DDR3 обеспечивает два ключевых преимущества. Во-первых, максимальная плотность памяти у чипов была расширена до 8 Гбит, что даёт для 16-чипового модуля ёмкость 16 Гбайт. Во-вторых, напряжение питания по умолчанию было снижено до 1,50 В по сравнению с 1,80 В у DDR2, что даёт 30% снижение энергопотребления при равных тактовых частотах. Одним из важных факторов в пользу памяти DDR3 является постепенный перевод чипсетов Intel в этом направлении. Компания впервые добавила поддержку DDR3 в качестве опции у северного моста чипсета P35 Express, да и рынок DDR3 затем был и далее расширен с появлением новых чипсетов DDR3.
Память DDR3 по-прежнему использует технологию удвоенной передачи данных, когда биты
передаются и на подъёме сигнала, и на падении, что позволяет удвоить эффективную
пропускную способность. Впрочем, у памяти есть так называемые буферы предварительной
выборки (prefetch buffers), которые используются для сбора данных, чтобы быстрее
передавать их на интерфейс. У DDR1 ширина буфера составляет 2 бита (режим DDR, без
буферизации), DDR2 работает с 4-битными буферами, а DDR3 - с 8-битными. В этом кроется
путь для увеличения производительности памяти, но и задержки тоже возрастают: память DDR1 работает с задержками CAS 2, 2,5 и 3 такта. DDR2 работает с задержками CL 3, 4 или 5 тактов.У DDR3 задержки CL увеличились до 5-8 тактов. То есть для заполнения буферов требуется время. По этой причине не следует ожидать, что память DDR3 с самого начала будет обгонять DDR2. Память DDR2-533 на CL 3 тоже не могла обойти DDR1-400 в реальных приложениях.
Каждое поколение DDR отличается более высокими задержками памяти, что обусловлено ростом ёмкости с переходом на следующий техпроцесс. Массовая память DDR1 отличалась
ёмкостью 512 Мбайт на модуль (общая ёмкость 1 Гбайт). У DDR2 оптимальной оказалась
ёмкость 1 Гбайт на модуль (общая ёмкость 2 Гбайт). Как можно предположить, память DDR3
даст 2 Гбайт на модуль (4 Гбайт в сумме) к середине 2008 года. По спецификациям JEDEC
память DDR3 должна работать с напряжением по умолчанию 1,5 В. Напомним, что напряжение
памяти DDR2 составляет 1,8 В, а DDR1 - 2,5 в. Впрочем, многие производители памяти
повышают напряжение, чтобы снизить задержки и обеспечить более высокую производительность. История с памятью DDR3 повторяется.
Из-за снижения напряжения память DDR3 потребляет меньше энергии. Но в наших тестах мы
это не смогли подтвердить, поскольку тестовые системы с памятью DDR3 потребляли больше
энергии, чем с памятью DDR2. Intel утверждает, что энергопотребление памяти DDR3-1333
должно сравняться с DDR2-800, а при равных тактовых частотах экономия должна составить 25%.Что ж посмотрим, насколько эти обещания исполняться в будущем.
Частоты DDR3
В следующей таблице приведены все частоты DDR3, которые уже доступны.
несовместимы." Число контактов модулей памяти DDR2 и DDR3 идентичное, но вырез у модулей DDR3 был смещён, поскольку новая память несовместима с DDR2 и работает от другого напряжения. DDR3 будет поддерживаться на частотах 800, 1066 и 1333, в то время как DDR2 остановится на DDR2-800. Конечно, модули DDR2 с более высокой частотой могут работать с некоторыми чипсетами (всё часто зависит от комбинации модулей и материнской платы), но спецификации вряд ли будут когда-нибудь утверждены. В принципе, ситуация вполне нормальная, если вспомнить, что память DDR для энтузиастов выходила вплоть до частот DDR600, хотя JEDEC сертифицировала максимум DDR400.
Источник
Комментариев нет:
Отправить комментарий